UR5FFR

Мы привыкли что параметр "крутизна" используется для полевых транзисторов. Но ничто не мешает ввести его и для биполярных транзисторов. Во многих случаях это позволяет более просто производит расчет параметров схемы.

Для начала запишем соотношение

Ik = g * Uбэ

тут Ik - ток коллектора, Uбэ - напряжение база-эммитер, g - крутизна транзистора.
Будем искать

g = Ik / Uбэ

Известно, что

Ik = Iб * betta

где Iб - ток перехода база-эммиттер, betta - коэффициент передачи тока транзистора.

Iб = Uбэ / Rбэ

Rбэ = betta * Rэ

Rэ = 0.025 / Ik0

Подставляем

Rбэ = betta * 0.025 / Ik0

Iб = Uбэ * Ik0 / (betta * 0.025)

Ik = betta * Uбэ * Ik0 / (betta * 0.025) = Uбэ * Ik0 / 0.025

g = Ik / Uбэ = Ik0 / 0.025 = 40 * Ik0

Тут Ik0 - постоянный ток коллектора (не путать с током сигнала Ik).