Расчет рабочей точки полевого транзистора
Posted: 05 Oct 2016, 15:43
n-канальные полевые транзисторы (J-FET) имеют квадратичную характеристику. Известна апроксимация Shockley [1]
тут
Id - ток стока
Vgs - напряжение затвор-исток
Idss - начальный ток стока (при напряжении Vgs=0)
Vp - напряжение отсечки
Middlebrook предложил более компактную формулу [2]
Которая достаточно близка к формуле Shockley
Легко получить значение крутизны транзистора в зависимости от Vgs, как производную
g = dId/dVgs = 2*Idss*(1-Vgs/Vp)/Vp
Для выбора рабочей точки обычно включают резистор в цепь истока. Определить его сопротивление можно по следующей формуле:
R = Vp*Sqrt(1-Id/Idss)/Id
Литература:
1. Shokley "A unipolar field-effect transistor" Proc. IRE 40, 1952
2. Middlebrook "A simple derivation of field effect transistor characteristics" Proc. IEEE, 1963
- Shokley_fet.png (4.71 KiB) Viewed 39947 times
Id - ток стока
Vgs - напряжение затвор-исток
Idss - начальный ток стока (при напряжении Vgs=0)
Vp - напряжение отсечки
Middlebrook предложил более компактную формулу [2]
- Middlebrok_fet.png (3.07 KiB) Viewed 39947 times
- fet_approximation_comparison.png (19.94 KiB) Viewed 39947 times
g = dId/dVgs = 2*Idss*(1-Vgs/Vp)/Vp
Для выбора рабочей точки обычно включают резистор в цепь истока. Определить его сопротивление можно по следующей формуле:
R = Vp*Sqrt(1-Id/Idss)/Id
Литература:
1. Shokley "A unipolar field-effect transistor" Proc. IRE 40, 1952
2. Middlebrook "A simple derivation of field effect transistor characteristics" Proc. IEEE, 1963