Мы привыкли что параметр "крутизна" используется для полевых транзисторов. Но ничто не мешает ввести его и для биполярных транзисторов. Во многих случаях это позволяет более просто производит расчет параметров схемы.
Для начала запишем соотношение
Ik = g * Uбэ
тут Ik - ток коллектора, Uбэ - напряжение база-эммитер, g - крутизна транзистора.
Будем искать
g = Ik / Uбэ
Известно, что
Ik = Iб * betta
где Iб - ток перехода база-эммиттер, betta - коэффициент передачи тока транзистора.
Iб = Uбэ / Rбэ
Rбэ = betta * Rэ
Rэ = 0.025 / Ik0
Подставляем
Rбэ = betta * 0.025 / Ik0
Iб = Uбэ * Ik0 / (betta * 0.025)
Ik = betta * Uбэ * Ik0 / (betta * 0.025) = Uбэ * Ik0 / 0.025
g = Ik / Uбэ = Ik0 / 0.025 = 40 * Ik0
Тут Ik0 - постоянный ток коллектора (не путать с током сигнала Ik).