То что MOSFET обладают достаточно стабильным пороговым напряжением позволяет создавать на них источники образцового напряжения. Схема такого источника приведена на рис.1. На рис.2 приведена схема улучшенного источника, в котором коэф.нестабильности уменьшен на величину betta биполярного транзистора. Добавлением делителя в цепь затвора можно управлять выходным напряжением.
На кривой зависимости тока стока от напряжения затвора существует термостабильная точка. Положение ее зависит от типа транзистора. По некоторым сведениям для 2N7000 термостабильная точка соответствует току стока порядка 5-7ма